▪ Y2与M17首个无尘室分别将于2029年6月、2028年12月启用，稳步推进中长期投资战略
▪ 同步扩大DRAM与NAND闪存生产基础设施，按客户所需分阶段扩大产能
▪ “这是为把握市场增长机遇而作出的战略性决定，以前瞻性布局确保生产基础，致力于稳定全球AI半导体供应链”
韩国首尔，2026年8月7日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）7日宣布，公司将在韩国龙仁和清州新建晶圆厂（Fab），以应对AI时代持续增长的存储器需求。
当天，公司董事会决议通过，在龙仁“Y2”和清州“M17”晶圆厂建设项目中分别投资35.2万亿韩元和19.1万亿韩元，合计投资约54万亿韩元。
此举是落实公司今年6月公布的中长期投资战略的又一关键进展。此前，SK海力士宣布计划向龙仁半导体集群投资600万亿韩元、向清州生产基地扩建投资100万亿韩元。目前，龙仁首座晶圆厂（Y1）建设正有序推进，此次投资决定标志着龙仁和清州两地后续晶圆厂建设都启动。
据市场调研机构Omdia预测，从去年至2030年，DRAM和NAND闪存市场需求年均增速将达19%。SK海力士表示，这并非一时的行业景气，而是源于存储器已从普通的零部件升级为决定AI性能的核心基础设施，进入结构性增长阶段。
SK海力士表示：“在AI时代，仅凭技术竞争力已不足以保持优势；能否在客户所需时间点交付足量产品，才是真正的竞争力。此次投资决定是基于对市场需求进行充分评估后作出的。”
龙仁Y2是公司在龙仁半导体集群内依次建设的四座晶圆厂中的第二座，总建筑面积约34.1万坪（约113万平方米），将作为DRAM生产基地投入运营。项目计划明年7月开工，2029年6月启用首个无尘室，主要生产HBM等新一代DRAM产品。目前，Y1晶圆厂建设进展顺利，预计明年2月启用首个无尘室。
此前，SK海力士已将龙仁半导体集群的整体竣工时间由原定的2045年大幅提前至2033年，完成四座晶圆厂的全部建设。此次Y2建设即为支撑该目标的第二阶段关键举措，投资将分阶段实施至2031年10月。
本次投资金额还包括为Y2员工配套的办公及福利设施“支援楼”、集开发产品实验、测试与分析一体的“研发综合中心”，以及相关配套设施*等建设费用。
龙仁半导体集群位于韩国京畿道龙仁市处仁区远三面一带，占地约126万坪（约416万平方米）。目前，支撑Y2投产的一期电力、供水基础设施建设已完成99%，进入收尾阶段。公司目标，晶圆厂与基础设施建设同步进行，Y2将按原定计划稳步推进，确保工期不受影响。
随着AI服务加速普及，NAND闪存需求正以企业级固态硬盘（eSSD）为核心快速增长。同时，AI推理过程中的KV缓存*需求进一步增加，叠加代理式（Agentic）与物理（Physical）AI应用逐步落地，NAND闪存的应用场景有望进一步拓展。
SK海力士之所以选择在清州建设新的NAND闪存生产基地，是因为能够加快新晶圆厂的建设。清州园区已建成M11、M12、M15 NAND闪存生产设施，新建晶圆厂可与现有产线协同增效；同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。清州M17晶圆厂总建筑面积约20.6万坪（约68万平方米），计划明年2月开工，2028年12月启用首个无尘室。投资期将持续至2031年4月，并将根据业务进度分阶段实施。
SK海力士表示，公司将基于与客户的中长期需求沟通，前瞻性布局生产基础设施，并按客户实际需求时点分阶段扩大生产能力。晶圆厂建设将按计划推进，而无尘室扩建及设备投入则将依据市场动态逐步实施，以提升投资效率。
公司认为，此次投资不仅夯实未来增长基础，也将增强韩国半导体产业生态竞争力，带动区域经济发展。龙仁与清州两地同步推进的大规模投资，有望为合作伙伴企业创造更多协同增长机会，并通过创造就业、激活本地商圈，为国家经济的可持续增长作出贡献。
SK海力士相关人士表示：“此次投资旨在把握与市场增长速度同步的发展机遇。公司将以前瞻性布局确保生产基础，致力于稳定全球AI半导体供应链，成为AI基础设施领域的核心合作伙伴。”
关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（NAND快闪存储器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市， 其美国存托股份于纳斯达克上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。
若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。
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