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实现全球化沟通并提升信任,SK海力士可持续发展公布系统‘SRS’上线
2022年12月26日
品牌故事
ESG
PRISM
SRS
可持续发展
全球移动市场的指路灯——SK海力士背照式(BSI)技术
2022年12月22日
品牌故事
CIS
CMOS图像传感器
背照式
[半导体前端工艺:第二篇] 半导体制程工艺概览与氧化
2022年12月21日
科技与人工智能
前端工艺
工艺概览
氧化
SK海力士开发出业界最快的服务器内存模组MCR DIMM
2022年12月8日
新闻中心
DDR5
DRAM
MCR DIMM
从数据到虚拟空间:存储芯片助力投射数字孪生新世界
2022年11月29日
科技与人工智能
元宇宙
数字孪生
数字转型
速度优势是HBM产品成功的关键
2022年11月24日
品牌故事
DRAM
HBM
HBM3
HBM设计
[半导体前端工艺:第一篇] 计算机、晶体管的问世与半导体
2022年11月22日
科技与人工智能
前端工艺
晶体管
计算机
SK海力士,通过零有害物质芯片大力加强绿色发展 ‘获得IECQ QC 080000认证’
2022年11月15日
品牌故事
IECQ
国际认证
无有害物质
SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺
2022年11月10日
品牌故事
DRAM
HKMG
LPDDR
LPDDR5X
高k/金属栅极
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革
2022年11月8日
品牌故事
DRAM
HKMG
逻辑微缩
高k/金属栅极
智慧城市生活,存储驱动未来
2022年11月8日
科技与人工智能
DDR
DRAM
HBM
LPDDR
智慧城市
SK海力士的NAND技术研发:持续迈向新高度
2022年10月27日
科技与人工智能
4D 2.0
CTF
NAND闪存
PUC
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